Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
номер части
SIDR140DP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET® Gen IV
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8DC
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
79A (Ta), 100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
0.67 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
170nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
8150pF @ 10V
ВГС (Макс)
+20V, -16V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48891 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIDR140DP-T1-GE3
SIDR140DP-T1-GE3 Электронные компоненты
SIDR140DP-T1-GE3 Продажи
SIDR140DP-T1-GE3 Поставщик
SIDR140DP-T1-GE3 Распределитель
SIDR140DP-T1-GE3 Таблица данных
SIDR140DP-T1-GE3 Фото
SIDR140DP-T1-GE3 Цена
SIDR140DP-T1-GE3 Предложение
SIDR140DP-T1-GE3 Низшая цена
SIDR140DP-T1-GE3 Поиск
SIDR140DP-T1-GE3 Покупка
SIDR140DP-T1-GE3 Chip