Купить Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

номер части

SIDR610DP-T1-GE3

Производитель/Бренд

Vishay Siliconix

Ряд

TrenchFET®

Статус детали

Active

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

PowerPAK® SO-8

Пакет устройств поставщика

PowerPAK® SO-8DC

Рассеиваемая мощность (макс.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Напряжение стока к источнику (Vdss)

200V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

38nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1380pF @ 100V

ВГС (Макс)

±20V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

7.5V, 10V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 32635 PCS

Контактная информация

сопутствующие товары

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC