Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIHB12N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
номер части
SIHB12N50E-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Bulk
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
D²PAK (TO-263)
Рассеиваемая мощность (макс.)
114W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
50nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
886pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 14434 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SIHB12N50E-GE3
SIHB12N50E-GE3 Электронные компоненты
SIHB12N50E-GE3 Продажи
SIHB12N50E-GE3 Поставщик
SIHB12N50E-GE3 Распределитель
SIHB12N50E-GE3 Таблица данных
SIHB12N50E-GE3 Фото
SIHB12N50E-GE3 Цена
SIHB12N50E-GE3 Предложение
SIHB12N50E-GE3 Низшая цена
SIHB12N50E-GE3 Поиск
SIHB12N50E-GE3 Покупка
SIHB12N50E-GE3 Chip