Купить Vishay Siliconix SIHB33N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

SIHB33N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

номер части

SIHB33N60E-GE3

Производитель/Бренд

Vishay Siliconix

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Bulk

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет устройств поставщика

D2PAK

Рассеиваемая мощность (макс.)

278W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

600V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

33A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

99 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

150nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

3508pF @ 100V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

10V

ВГС (Макс)

±30V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 9387 PCS

Контактная информация

сопутствующие товары

SIHB065N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2