Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIHH11N60E-T1-GE3

SIHH11N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
номер части
SIHH11N60E-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-PowerTDFN
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Рассеиваемая мощность (макс.)
114W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
11A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
339 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
62nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1076pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 30828 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIHH11N60E-T1-GE3
SIHH11N60E-T1-GE3 Электронные компоненты
SIHH11N60E-T1-GE3 Продажи
SIHH11N60E-T1-GE3 Поставщик
SIHH11N60E-T1-GE3 Распределитель
SIHH11N60E-T1-GE3 Таблица данных
SIHH11N60E-T1-GE3 Фото
SIHH11N60E-T1-GE3 Цена
SIHH11N60E-T1-GE3 Предложение
SIHH11N60E-T1-GE3 Низшая цена
SIHH11N60E-T1-GE3 Поиск
SIHH11N60E-T1-GE3 Покупка
SIHH11N60E-T1-GE3 Chip