Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L
номер части
SIHJ240N60E-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
E
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
89W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
23nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
783pF @ 100V
ВГС (Макс)
±30V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 16868 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIHJ240N60E-T1-GE3
SIHJ240N60E-T1-GE3 Электронные компоненты
SIHJ240N60E-T1-GE3 Продажи
SIHJ240N60E-T1-GE3 Поставщик
SIHJ240N60E-T1-GE3 Распределитель
SIHJ240N60E-T1-GE3 Таблица данных
SIHJ240N60E-T1-GE3 Фото
SIHJ240N60E-T1-GE3 Цена
SIHJ240N60E-T1-GE3 Предложение
SIHJ240N60E-T1-GE3 Низшая цена
SIHJ240N60E-T1-GE3 Поиск
SIHJ240N60E-T1-GE3 Покупка
SIHJ240N60E-T1-GE3 Chip