Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIHW30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
номер части
SIHW30N60E-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-3P-3 Full Pack
Пакет устройств поставщика
TO-247AD
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
29A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
130nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2600pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 36482 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SIHW30N60E-GE3
SIHW30N60E-GE3 Электронные компоненты
SIHW30N60E-GE3 Продажи
SIHW30N60E-GE3 Поставщик
SIHW30N60E-GE3 Распределитель
SIHW30N60E-GE3 Таблица данных
SIHW30N60E-GE3 Фото
SIHW30N60E-GE3 Цена
SIHW30N60E-GE3 Предложение
SIHW30N60E-GE3 Низшая цена
SIHW30N60E-GE3 Поиск
SIHW30N60E-GE3 Покупка
SIHW30N60E-GE3 Chip