Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIJ188DP-T1-GE3

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
номер части
SIJ188DP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET® Gen IV
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
44nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1920pF @ 30V
ВГС (Макс)
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
7.5V, 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 28412 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIJ188DP-T1-GE3
SIJ188DP-T1-GE3 Электронные компоненты
SIJ188DP-T1-GE3 Продажи
SIJ188DP-T1-GE3 Поставщик
SIJ188DP-T1-GE3 Распределитель
SIJ188DP-T1-GE3 Таблица данных
SIJ188DP-T1-GE3 Фото
SIJ188DP-T1-GE3 Цена
SIJ188DP-T1-GE3 Предложение
SIJ188DP-T1-GE3 Низшая цена
SIJ188DP-T1-GE3 Поиск
SIJ188DP-T1-GE3 Покупка
SIJ188DP-T1-GE3 Chip