Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
номер части
SIR106DP-T1-RE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET® Gen IV
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
64nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3610pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
7.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42394 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIR106DP-T1-RE3
SIR106DP-T1-RE3 Электронные компоненты
SIR106DP-T1-RE3 Продажи
SIR106DP-T1-RE3 Поставщик
SIR106DP-T1-RE3 Распределитель
SIR106DP-T1-RE3 Таблица данных
SIR106DP-T1-RE3 Фото
SIR106DP-T1-RE3 Цена
SIR106DP-T1-RE3 Предложение
SIR106DP-T1-RE3 Низшая цена
SIR106DP-T1-RE3 Поиск
SIR106DP-T1-RE3 Покупка
SIR106DP-T1-RE3 Chip