Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8
номер части
SIR167DP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET® Gen III
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
65.8W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
111nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4380pF @ 15V
ВГС (Макс)
±25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 35464 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIR167DP-T1-GE3
SIR167DP-T1-GE3 Электронные компоненты
SIR167DP-T1-GE3 Продажи
SIR167DP-T1-GE3 Поставщик
SIR167DP-T1-GE3 Распределитель
SIR167DP-T1-GE3 Таблица данных
SIR167DP-T1-GE3 Фото
SIR167DP-T1-GE3 Цена
SIR167DP-T1-GE3 Предложение
SIR167DP-T1-GE3 Низшая цена
SIR167DP-T1-GE3 Поиск
SIR167DP-T1-GE3 Покупка
SIR167DP-T1-GE3 Chip