Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
номер части
SIR770DP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8 Dual
Мощность - Макс.
17.8W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
21nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
900pF @ 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 54469 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIR770DP-T1-GE3
SIR770DP-T1-GE3 Электронные компоненты
SIR770DP-T1-GE3 Продажи
SIR770DP-T1-GE3 Поставщик
SIR770DP-T1-GE3 Распределитель
SIR770DP-T1-GE3 Таблица данных
SIR770DP-T1-GE3 Фото
SIR770DP-T1-GE3 Цена
SIR770DP-T1-GE3 Предложение
SIR770DP-T1-GE3 Низшая цена
SIR770DP-T1-GE3 Поиск
SIR770DP-T1-GE3 Покупка
SIR770DP-T1-GE3 Chip