Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
номер части
SIS932EDN-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® 1212-8 Dual
Мощность - Макс.
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® 1212-8 Dual
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1000pF @ 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 15651 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIS932EDN-T1-GE3
SIS932EDN-T1-GE3 Электронные компоненты
SIS932EDN-T1-GE3 Продажи
SIS932EDN-T1-GE3 Поставщик
SIS932EDN-T1-GE3 Распределитель
SIS932EDN-T1-GE3 Таблица данных
SIS932EDN-T1-GE3 Фото
SIS932EDN-T1-GE3 Цена
SIS932EDN-T1-GE3 Предложение
SIS932EDN-T1-GE3 Низшая цена
SIS932EDN-T1-GE3 Поиск
SIS932EDN-T1-GE3 Покупка
SIS932EDN-T1-GE3 Chip