Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
номер части
SISF00DN-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET® Gen IV
Статус детали
Active
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® 1212-8SCD
Мощность - Макс.
69.4W (Tc)
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® 1212-8SCD
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
53nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2700pF @ 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 45645 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3 Электронные компоненты
SISF00DN-T1-GE3 Продажи
SISF00DN-T1-GE3 Поставщик
SISF00DN-T1-GE3 Распределитель
SISF00DN-T1-GE3 Таблица данных
SISF00DN-T1-GE3 Фото
SISF00DN-T1-GE3 Цена
SISF00DN-T1-GE3 Предложение
SISF00DN-T1-GE3 Низшая цена
SISF00DN-T1-GE3 Поиск
SISF00DN-T1-GE3 Покупка
SISF00DN-T1-GE3 Chip