Купить Vishay Siliconix SISH110DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

SISH110DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH

номер части

SISH110DN-T1-GE3

Производитель/Бренд

Vishay Siliconix

Ряд

TrenchFET® Gen II

Статус детали

Active

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

PowerPAK® 1212-8SH

Пакет устройств поставщика

PowerPAK® 1212-8SH

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.5W (Ta)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Напряжение стока к источнику (Vdss)

20V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

13.5A (Ta)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

5.3 mOhm @ 21.1A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

21nC @ 4.5V

ВГС (Макс)

±20V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

4.5V, 10V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 5514 PCS

Контактная информация

сопутствующие товары

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH