Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
номер части
SISH434DN-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® 1212-8SH
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® 1212-8SH
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
17.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
7.6 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
40nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1530pF @ 20V
ВГС (Макс)
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 18404 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SISH434DN-T1-GE3
SISH434DN-T1-GE3 Электронные компоненты
SISH434DN-T1-GE3 Продажи
SISH434DN-T1-GE3 Поставщик
SISH434DN-T1-GE3 Распределитель
SISH434DN-T1-GE3 Таблица данных
SISH434DN-T1-GE3 Фото
SISH434DN-T1-GE3 Цена
SISH434DN-T1-GE3 Предложение
SISH434DN-T1-GE3 Низшая цена
SISH434DN-T1-GE3 Поиск
SISH434DN-T1-GE3 Покупка
SISH434DN-T1-GE3 Chip