Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SISH615ADN-T1-GE3

SISH615ADN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212
номер части
SISH615ADN-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET® Gen III
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® 1212-8SH
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® 1212-8SH
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
183nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5590pF @ 10V
ВГС (Макс)
±12V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.5V, 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 26790 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SISH615ADN-T1-GE3
SISH615ADN-T1-GE3 Электронные компоненты
SISH615ADN-T1-GE3 Продажи
SISH615ADN-T1-GE3 Поставщик
SISH615ADN-T1-GE3 Распределитель
SISH615ADN-T1-GE3 Таблица данных
SISH615ADN-T1-GE3 Фото
SISH615ADN-T1-GE3 Цена
SISH615ADN-T1-GE3 Предложение
SISH615ADN-T1-GE3 Низшая цена
SISH615ADN-T1-GE3 Поиск
SISH615ADN-T1-GE3 Покупка
SISH615ADN-T1-GE3 Chip