Купить Vishay Siliconix SISS06DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

SISS06DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

номер части

SISS06DN-T1-GE3

Производитель/Бренд

Vishay Siliconix

Ряд

TrenchFET® Gen IV

Статус детали

Active

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

PowerPAK® 1212-8S

Пакет устройств поставщика

PowerPAK® 1212-8S

Рассеиваемая мощность (макс.)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Напряжение стока к источнику (Vdss)

30V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

77nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

3660pF @ 15V

ВГС (Макс)

+20V, -16V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

4.5V, 10V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 49324 PCS

Контактная информация

сопутствующие товары

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-