Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SISS46DN-T1-GE3

SISS46DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S
номер части
SISS46DN-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET® Gen IV
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® 1212-8S
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® 1212-8S
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
12.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
42nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2140pF @ 50V
ВГС (Макс)
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
7.5V, 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42833 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SISS46DN-T1-GE3
SISS46DN-T1-GE3 Электронные компоненты
SISS46DN-T1-GE3 Продажи
SISS46DN-T1-GE3 Поставщик
SISS46DN-T1-GE3 Распределитель
SISS46DN-T1-GE3 Таблица данных
SISS46DN-T1-GE3 Фото
SISS46DN-T1-GE3 Цена
SISS46DN-T1-GE3 Предложение
SISS46DN-T1-GE3 Низшая цена
SISS46DN-T1-GE3 Поиск
SISS46DN-T1-GE3 Покупка
SISS46DN-T1-GE3 Chip