Купить Vishay Siliconix SISS65DN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

SISS65DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

номер части

SISS65DN-T1-GE3

Производитель/Бренд

Vishay Siliconix

Ряд

TrenchFET® Gen III

Статус детали

Active

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

PowerPAK® 1212-8S

Пакет устройств поставщика

PowerPAK® 1212-8S

Рассеиваемая мощность (макс.)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Тип полевого транзистора

P-Channel

Напряжение стока к источнику (Vdss)

30V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

25.9A (Ta), 94A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

138nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

4930pF @ 15V

ВГС (Макс)

±20V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

4.5V, 10V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 54061 PCS

Контактная информация

сопутствующие товары

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-