Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V
номер части
SISS72DN-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® 1212-8S
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® 1212-8S
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
7A (Ta), 25.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
22nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
550pF @ 75V
ВГС (Макс)
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 16731 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SISS72DN-T1-GE3
SISS72DN-T1-GE3 Электронные компоненты
SISS72DN-T1-GE3 Продажи
SISS72DN-T1-GE3 Поставщик
SISS72DN-T1-GE3 Распределитель
SISS72DN-T1-GE3 Таблица данных
SISS72DN-T1-GE3 Фото
SISS72DN-T1-GE3 Цена
SISS72DN-T1-GE3 Предложение
SISS72DN-T1-GE3 Низшая цена
SISS72DN-T1-GE3 Поиск
SISS72DN-T1-GE3 Покупка
SISS72DN-T1-GE3 Chip