Купить Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

SIZ200DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

номер части

SIZ200DT-T1-GE3

Производитель/Бренд

Vishay Siliconix

Ряд

TrenchFET® Gen IV

Статус детали

Active

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

8-PowerWDFN

Мощность - Макс.

4.3W (Ta), 33W (Tc)

Пакет устройств поставщика

8-PowerPair® (3.3x3.3)

Тип полевого транзистора

2 N-Channel (Dual)

Особенность полевого транзистора

Standard

Напряжение стока к источнику (Vdss)

30V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

28nC @ 10V, 30nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 24914 PCS

Контактная информация