Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIZ700DT-T1-GE3

SIZ700DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
номер части
SIZ700DT-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
6-PowerPair™
Мощность - Макс.
2.36W, 2.8W
Пакет устройств поставщика
6-PowerPair™
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
16A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
8.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
35nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1300pF @ 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 19258 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIZ700DT-T1-GE3
SIZ700DT-T1-GE3 Электронные компоненты
SIZ700DT-T1-GE3 Продажи
SIZ700DT-T1-GE3 Поставщик
SIZ700DT-T1-GE3 Распределитель
SIZ700DT-T1-GE3 Таблица данных
SIZ700DT-T1-GE3 Фото
SIZ700DT-T1-GE3 Цена
SIZ700DT-T1-GE3 Предложение
SIZ700DT-T1-GE3 Низшая цена
SIZ700DT-T1-GE3 Поиск
SIZ700DT-T1-GE3 Покупка
SIZ700DT-T1-GE3 Chip