Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V
номер части
SIZF916DT-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET® Gen IV
Статус детали
Active
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-PowerWDFN
Мощность - Макс.
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Пакет устройств поставщика
8-PowerPair® (6x5)
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
23A (Ta), 40A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 34590 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIZF916DT-T1-GE3
SIZF916DT-T1-GE3 Электронные компоненты
SIZF916DT-T1-GE3 Продажи
SIZF916DT-T1-GE3 Поставщик
SIZF916DT-T1-GE3 Распределитель
SIZF916DT-T1-GE3 Таблица данных
SIZF916DT-T1-GE3 Фото
SIZF916DT-T1-GE3 Цена
SIZF916DT-T1-GE3 Предложение
SIZF916DT-T1-GE3 Низшая цена
SIZF916DT-T1-GE3 Поиск
SIZF916DT-T1-GE3 Покупка
SIZF916DT-T1-GE3 Chip