Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQ2303ES-T1_GE3

SQ2303ES-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 30V SOT23
номер части
SQ2303ES-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
TO-236 (SOT-23)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
210pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 29678 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQ2303ES-T1_GE3
SQ2303ES-T1_GE3 Электронные компоненты
SQ2303ES-T1_GE3 Продажи
SQ2303ES-T1_GE3 Поставщик
SQ2303ES-T1_GE3 Распределитель
SQ2303ES-T1_GE3 Таблица данных
SQ2303ES-T1_GE3 Фото
SQ2303ES-T1_GE3 Цена
SQ2303ES-T1_GE3 Предложение
SQ2303ES-T1_GE3 Низшая цена
SQ2303ES-T1_GE3 Поиск
SQ2303ES-T1_GE3 Покупка
SQ2303ES-T1_GE3 Chip