Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQ2310ES-T1_GE3

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
номер части
SQ2310ES-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
TO-236
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
485pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 39149 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQ2310ES-T1_GE3
SQ2310ES-T1_GE3 Электронные компоненты
SQ2310ES-T1_GE3 Продажи
SQ2310ES-T1_GE3 Поставщик
SQ2310ES-T1_GE3 Распределитель
SQ2310ES-T1_GE3 Таблица данных
SQ2310ES-T1_GE3 Фото
SQ2310ES-T1_GE3 Цена
SQ2310ES-T1_GE3 Предложение
SQ2310ES-T1_GE3 Низшая цена
SQ2310ES-T1_GE3 Поиск
SQ2310ES-T1_GE3 Покупка
SQ2310ES-T1_GE3 Chip