Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQ2319ES-T1-GE3

SQ2319ES-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
номер части
SQ2319ES-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
16nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
620pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 28938 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQ2319ES-T1-GE3
SQ2319ES-T1-GE3 Электронные компоненты
SQ2319ES-T1-GE3 Продажи
SQ2319ES-T1-GE3 Поставщик
SQ2319ES-T1-GE3 Распределитель
SQ2319ES-T1-GE3 Таблица данных
SQ2319ES-T1-GE3 Фото
SQ2319ES-T1-GE3 Цена
SQ2319ES-T1-GE3 Предложение
SQ2319ES-T1-GE3 Низшая цена
SQ2319ES-T1-GE3 Поиск
SQ2319ES-T1-GE3 Покупка
SQ2319ES-T1-GE3 Chip