Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQ2360EES-T1-GE3

SQ2360EES-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
номер части
SQ2360EES-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
12nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
370pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 6945 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQ2360EES-T1-GE3
SQ2360EES-T1-GE3 Электронные компоненты
SQ2360EES-T1-GE3 Продажи
SQ2360EES-T1-GE3 Поставщик
SQ2360EES-T1-GE3 Распределитель
SQ2360EES-T1-GE3 Таблица данных
SQ2360EES-T1-GE3 Фото
SQ2360EES-T1-GE3 Цена
SQ2360EES-T1-GE3 Предложение
SQ2360EES-T1-GE3 Низшая цена
SQ2360EES-T1-GE3 Поиск
SQ2360EES-T1-GE3 Покупка
SQ2360EES-T1-GE3 Chip