Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 23A POWERPAKSO-8
номер части
SQJ158EP-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
23A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
30nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1100pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 18505 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQJ158EP-T1_GE3
SQJ158EP-T1_GE3 Электронные компоненты
SQJ158EP-T1_GE3 Продажи
SQJ158EP-T1_GE3 Поставщик
SQJ158EP-T1_GE3 Распределитель
SQJ158EP-T1_GE3 Таблица данных
SQJ158EP-T1_GE3 Фото
SQJ158EP-T1_GE3 Цена
SQJ158EP-T1_GE3 Предложение
SQJ158EP-T1_GE3 Низшая цена
SQJ158EP-T1_GE3 Поиск
SQJ158EP-T1_GE3 Покупка
SQJ158EP-T1_GE3 Chip