Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
номер части
SQJ200EP-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8 Dual
Мощность - Макс.
27W, 48W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
20A, 60A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
18nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
975pF @ 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48010 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQJ200EP-T1_GE3
SQJ200EP-T1_GE3 Электронные компоненты
SQJ200EP-T1_GE3 Продажи
SQJ200EP-T1_GE3 Поставщик
SQJ200EP-T1_GE3 Распределитель
SQJ200EP-T1_GE3 Таблица данных
SQJ200EP-T1_GE3 Фото
SQJ200EP-T1_GE3 Цена
SQJ200EP-T1_GE3 Предложение
SQJ200EP-T1_GE3 Низшая цена
SQJ200EP-T1_GE3 Поиск
SQJ200EP-T1_GE3 Покупка
SQJ200EP-T1_GE3 Chip