Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQR40N10-25_GE3

SQR40N10-25_GE3

MOSFET N-CH 100V 40A TO263
номер части
SQR40N10-25_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263 (D2Pak)
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
40A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
70nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3380pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31803 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQR40N10-25_GE3
SQR40N10-25_GE3 Электронные компоненты
SQR40N10-25_GE3 Продажи
SQR40N10-25_GE3 Поставщик
SQR40N10-25_GE3 Распределитель
SQR40N10-25_GE3 Таблица данных
SQR40N10-25_GE3 Фото
SQR40N10-25_GE3 Цена
SQR40N10-25_GE3 Предложение
SQR40N10-25_GE3 Низшая цена
SQR40N10-25_GE3 Поиск
SQR40N10-25_GE3 Покупка
SQR40N10-25_GE3 Chip