Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SUD35N10-26P-E3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
номер части
SUD35N10-26P-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
TO-252
Рассеиваемая мощность (макс.)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
47nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2000pF @ 12V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
7V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 40125 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SUD35N10-26P-E3
SUD35N10-26P-E3 Электронные компоненты
SUD35N10-26P-E3 Продажи
SUD35N10-26P-E3 Поставщик
SUD35N10-26P-E3 Распределитель
SUD35N10-26P-E3 Таблица данных
SUD35N10-26P-E3 Фото
SUD35N10-26P-E3 Цена
SUD35N10-26P-E3 Предложение
SUD35N10-26P-E3 Низшая цена
SUD35N10-26P-E3 Поиск
SUD35N10-26P-E3 Покупка
SUD35N10-26P-E3 Chip