onsemi (Ansemi)
Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NXH100B120H3Q0PTG Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.

NXH100B120H3Q0PTG

Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
номер части
NXH100B120H3Q0PTG
Категория
Power IC > Power Module
Производитель/Бренд
onsemi (Ansemi)
Инкапсуляция
-
Упаковка
tray
Количество упаковок
24
Описание
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 66448 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NXH100B120H3Q0PTG
NXH100B120H3Q0PTG Электронные компоненты
NXH100B120H3Q0PTG Продажи
NXH100B120H3Q0PTG Поставщик
NXH100B120H3Q0PTG Распределитель
NXH100B120H3Q0PTG Таблица данных
NXH100B120H3Q0PTG Фото
NXH100B120H3Q0PTG Цена
NXH100B120H3Q0PTG Предложение
NXH100B120H3Q0PTG Низшая цена
NXH100B120H3Q0PTG Поиск
NXH100B120H3Q0PTG Покупка
NXH100B120H3Q0PTG Chip