onsemi (Ansemi)
Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NXH100B120H3Q0STG Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.

NXH100B120H3Q0STG

Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
номер части
NXH100B120H3Q0STG
Категория
Power IC > Power Module
Производитель/Бренд
onsemi (Ansemi)
Инкапсуляция
-
Упаковка
tray
Количество упаковок
24
Описание
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 80099 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Электронные компоненты
NXH100B120H3Q0STG Продажи
NXH100B120H3Q0STG Поставщик
NXH100B120H3Q0STG Распределитель
NXH100B120H3Q0STG Таблица данных
NXH100B120H3Q0STG Фото
NXH100B120H3Q0STG Цена
NXH100B120H3Q0STG Предложение
NXH100B120H3Q0STG Низшая цена
NXH100B120H3Q0STG Поиск
NXH100B120H3Q0STG Покупка
NXH100B120H3Q0STG Chip