Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
C3M0065100J
MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
номер части
C3M0065100J
Производитель/Бренд
Ряд
C3M™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Пакет устройств поставщика
D2PAK-7
Рассеиваемая мощность (макс.)
113.5W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
35nC @ 15V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
660pF @ 600V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
15V
ВГС (Макс)
+15V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 13170 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова C3M0065100J
C3M0065100J Электронные компоненты
C3M0065100J Продажи
C3M0065100J Поставщик
C3M0065100J Распределитель
C3M0065100J Таблица данных
C3M0065100J Фото
C3M0065100J Цена
C3M0065100J Предложение
C3M0065100J Низшая цена
C3M0065100J Поиск
C3M0065100J Покупка
C3M0065100J Chip