Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
C3M0065100K

C3M0065100K

1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
номер части
C3M0065100K
Производитель/Бренд
Ряд
C3M™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
-
Пакет/кейс
TO-247-4
Пакет устройств поставщика
TO-247-4L
Рассеиваемая мощность (макс.)
113.5W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
35nC @ 15V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
660pF @ 600V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
15V
ВГС (Макс)
+19V, -8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 20154 PCS
Контактная информация
Ключевые слова C3M0065100K
C3M0065100K Электронные компоненты
C3M0065100K Продажи
C3M0065100K Поставщик
C3M0065100K Распределитель
C3M0065100K Таблица данных
C3M0065100K Фото
C3M0065100K Цена
C3M0065100K Предложение
C3M0065100K Низшая цена
C3M0065100K Поиск
C3M0065100K Покупка
C3M0065100K Chip