Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
C3M0120090J
MOSFET N-CH 900V 22A
номер части
C3M0120090J
Производитель/Бренд
Ряд
C3M™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Пакет устройств поставщика
D2PAK-7
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
22A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
17.3nC @ 15V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
350pF @ 600V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
15V
ВГС (Макс)
+18V, -8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 25794 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова C3M0120090J
C3M0120090J Электронные компоненты
C3M0120090J Продажи
C3M0120090J Поставщик
C3M0120090J Распределитель
C3M0120090J Таблица данных
C3M0120090J Фото
C3M0120090J Цена
C3M0120090J Предложение
C3M0120090J Низшая цена
C3M0120090J Поиск
C3M0120090J Покупка
C3M0120090J Chip