Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC8002
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
номер части
EPC8002
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
65V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
21pF @ 32.5V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 9827 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC8002
EPC8002 Электронные компоненты
EPC8002 Продажи
EPC8002 Поставщик
EPC8002 Распределитель
EPC8002 Таблица данных
EPC8002 Фото
EPC8002 Цена
EPC8002 Предложение
EPC8002 Низшая цена
EPC8002 Поиск
EPC8002 Покупка
EPC8002 Chip