Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC8009
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
номер части
EPC8009
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
65V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2.7A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
52pF @ 32.5V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42450 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC8009
EPC8009 Электронные компоненты
EPC8009 Продажи
EPC8009 Поставщик
EPC8009 Распределитель
EPC8009 Таблица данных
EPC8009 Фото
EPC8009 Цена
EPC8009 Предложение
EPC8009 Низшая цена
EPC8009 Поиск
EPC8009 Покупка
EPC8009 Chip