Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC8010
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
номер части
EPC8010
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2.7A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.48nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
55pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 50825 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC8010
EPC8010 Электронные компоненты
EPC8010 Продажи
EPC8010 Поставщик
EPC8010 Распределитель
EPC8010 Таблица данных
EPC8010 Фото
EPC8010 Цена
EPC8010 Предложение
EPC8010 Низшая цена
EPC8010 Поиск
EPC8010 Покупка
EPC8010 Chip