Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPB50CN10NGATMA1

IPB50CN10NGATMA1

MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
номер части
IPB50CN10NGATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
PG-TO263-3-2
Рассеиваемая мощность (макс.)
44W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
16nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1090pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 23876 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPB50CN10NGATMA1
IPB50CN10NGATMA1 Электронные компоненты
IPB50CN10NGATMA1 Продажи
IPB50CN10NGATMA1 Поставщик
IPB50CN10NGATMA1 Распределитель
IPB50CN10NGATMA1 Таблица данных
IPB50CN10NGATMA1 Фото
IPB50CN10NGATMA1 Цена
IPB50CN10NGATMA1 Предложение
IPB50CN10NGATMA1 Низшая цена
IPB50CN10NGATMA1 Поиск
IPB50CN10NGATMA1 Покупка
IPB50CN10NGATMA1 Chip