Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPB50N10S3L16ATMA1

IPB50N10S3L16ATMA1

MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
номер части
IPB50N10S3L16ATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
PG-TO263-3-2
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
50A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
15.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
64nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4180pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 44619 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPB50N10S3L16ATMA1
IPB50N10S3L16ATMA1 Электронные компоненты
IPB50N10S3L16ATMA1 Продажи
IPB50N10S3L16ATMA1 Поставщик
IPB50N10S3L16ATMA1 Распределитель
IPB50N10S3L16ATMA1 Таблица данных
IPB50N10S3L16ATMA1 Фото
IPB50N10S3L16ATMA1 Цена
IPB50N10S3L16ATMA1 Предложение
IPB50N10S3L16ATMA1 Низшая цена
IPB50N10S3L16ATMA1 Поиск
IPB50N10S3L16ATMA1 Покупка
IPB50N10S3L16ATMA1 Chip