Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPB60R040C7ATMA1

IPB60R040C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
номер части
IPB60R040C7ATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
CoolMOS™ C7
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Пакет устройств поставщика
PG-TO263-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
50A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1.24mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
107nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4340pF @ 400V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 27888 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPB60R040C7ATMA1
IPB60R040C7ATMA1 Электронные компоненты
IPB60R040C7ATMA1 Продажи
IPB60R040C7ATMA1 Поставщик
IPB60R040C7ATMA1 Распределитель
IPB60R040C7ATMA1 Таблица данных
IPB60R040C7ATMA1 Фото
IPB60R040C7ATMA1 Цена
IPB60R040C7ATMA1 Предложение
IPB60R040C7ATMA1 Низшая цена
IPB60R040C7ATMA1 Поиск
IPB60R040C7ATMA1 Покупка
IPB60R040C7ATMA1 Chip