Купить Infineon Technologies IPB60R060C7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

IPB60R060C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

номер части

IPB60R060C7ATMA1

Производитель/Бренд

Infineon Technologies

Ряд

CoolMOS™ C7

Статус детали

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Пакет устройств поставщика

PG-TO263-3

Рассеиваемая мощность (макс.)

162W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

650V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

35A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

4V @ 800µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

68nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

2850pF @ 400V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

10V

ВГС (Макс)

±20V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 43476 PCS

Контактная информация