Купить Infineon Technologies IPB60R080P7ATMA1 MOSFET N-CH TO263-3

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

IPB60R080P7ATMA1

MOSFET N-CH TO263-3

номер части

IPB60R080P7ATMA1

Производитель/Бренд

Infineon Technologies

Ряд

CoolMOS™ P7

Статус детали

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет устройств поставщика

D²PAK (TO-263AB)

Рассеиваемая мощность (макс.)

129W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

650V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

37A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

4V @ 590µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

51nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

2180pF @ 400V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

10V

ВГС (Макс)

±20V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 34200 PCS

Контактная информация