Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPB60R250CPATMA1

IPB60R250CPATMA1

MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
номер части
IPB60R250CPATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
CoolMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
PG-TO263-3-2
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 440µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
35nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1200pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 5017 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPB60R250CPATMA1
IPB60R250CPATMA1 Электронные компоненты
IPB60R250CPATMA1 Продажи
IPB60R250CPATMA1 Поставщик
IPB60R250CPATMA1 Распределитель
IPB60R250CPATMA1 Таблица данных
IPB60R250CPATMA1 Фото
IPB60R250CPATMA1 Цена
IPB60R250CPATMA1 Предложение
IPB60R250CPATMA1 Низшая цена
IPB60R250CPATMA1 Поиск
IPB60R250CPATMA1 Покупка
IPB60R250CPATMA1 Chip