Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPB65R110CFDAATMA1

IPB65R110CFDAATMA1

MOSFET N-CH TO263-3
номер части
IPB65R110CFDAATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
D²PAK (TO-263AB)
Рассеиваемая мощность (макс.)
277.8W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
31.2A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
118nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3240pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42149 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPB65R110CFDAATMA1
IPB65R110CFDAATMA1 Электронные компоненты
IPB65R110CFDAATMA1 Продажи
IPB65R110CFDAATMA1 Поставщик
IPB65R110CFDAATMA1 Распределитель
IPB65R110CFDAATMA1 Таблица данных
IPB65R110CFDAATMA1 Фото
IPB65R110CFDAATMA1 Цена
IPB65R110CFDAATMA1 Предложение
IPB65R110CFDAATMA1 Низшая цена
IPB65R110CFDAATMA1 Поиск
IPB65R110CFDAATMA1 Покупка
IPB65R110CFDAATMA1 Chip