Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SPB80N03S203GATMA1

SPB80N03S203GATMA1

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
номер части
SPB80N03S203GATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
PG-TO263-3-2
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
80A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
150nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
7020pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 15594 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SPB80N03S203GATMA1
SPB80N03S203GATMA1 Электронные компоненты
SPB80N03S203GATMA1 Продажи
SPB80N03S203GATMA1 Поставщик
SPB80N03S203GATMA1 Распределитель
SPB80N03S203GATMA1 Таблица данных
SPB80N03S203GATMA1 Фото
SPB80N03S203GATMA1 Цена
SPB80N03S203GATMA1 Предложение
SPB80N03S203GATMA1 Низшая цена
SPB80N03S203GATMA1 Поиск
SPB80N03S203GATMA1 Покупка
SPB80N03S203GATMA1 Chip