Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SPB80N03S2L-04 G

SPB80N03S2L-04 G

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
номер части
SPB80N03S2L-04 G
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
PG-TO263-3-2
Рассеиваемая мощность (макс.)
188W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
80A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
105nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3900pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 49523 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SPB80N03S2L-04 G
SPB80N03S2L-04 G Электронные компоненты
SPB80N03S2L-04 G Продажи
SPB80N03S2L-04 G Поставщик
SPB80N03S2L-04 G Распределитель
SPB80N03S2L-04 G Таблица данных
SPB80N03S2L-04 G Фото
SPB80N03S2L-04 G Цена
SPB80N03S2L-04 G Предложение
SPB80N03S2L-04 G Низшая цена
SPB80N03S2L-04 G Поиск
SPB80N03S2L-04 G Покупка
SPB80N03S2L-04 G Chip