Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFL30N120P

IXFL30N120P

MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
номер части
IXFL30N120P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarP2™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
ISOPLUSi5-Pak™
Пакет устройств поставщика
ISOPLUSi5-Pak™
Рассеиваемая мощность (макс.)
357W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
18A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
310nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
19000pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 36841 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFL30N120P
IXFL30N120P Электронные компоненты
IXFL30N120P Продажи
IXFL30N120P Поставщик
IXFL30N120P Распределитель
IXFL30N120P Таблица данных
IXFL30N120P Фото
IXFL30N120P Цена
IXFL30N120P Предложение
IXFL30N120P Низшая цена
IXFL30N120P Поиск
IXFL30N120P Покупка
IXFL30N120P Chip