Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFL32N120P

IXFL32N120P

MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
номер части
IXFL32N120P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarP2™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
ISOPLUSi5-Pak™
Пакет устройств поставщика
ISOPLUSi5-Pak™
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
24A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
360nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
21000pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 10704 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFL32N120P
IXFL32N120P Электронные компоненты
IXFL32N120P Продажи
IXFL32N120P Поставщик
IXFL32N120P Распределитель
IXFL32N120P Таблица данных
IXFL32N120P Фото
IXFL32N120P Цена
IXFL32N120P Предложение
IXFL32N120P Низшая цена
IXFL32N120P Поиск
IXFL32N120P Покупка
IXFL32N120P Chip